62[1·2](2005)
특집 바카라 양방·FPD·신소재의 검사/제조장치

바카라 양방 논문

표면파 플라즈마 CVD 장치 개발

스즈키 마사야스1사루토 테츠야1

시마즈 평론 62〔1・2〕 15~26 (2005

요약

플라스마 평가 및 SWP를 이용한 저온 CVD 공정 개발에 대해 보고
저온 플라즈마임을 입증
SWP를 이용한 CVD에서 100℃ 이하에서의 실리콘 질화막 프로세스 및 막질의 특성을 나타낸다


1바카라 양방 기기 사업부 기술부
※소속명은 바카라 양방 작성시의 것입니다

이미 취급하지 않은 경우도 있으므로