바카라 양방 논문
표면파 플라즈마 CVD 장치 개발
시마즈 평론 62〔1・2〕 15~26 (2005
요약
플라스마 평가 및 SWP를 이용한 저온 CVD 공정 개발에 대해 보고
저온 플라즈마임을 입증
SWP를 이용한 CVD에서 100℃ 이하에서의 실리콘 질화막 프로세스 및 막질의 특성을 나타낸다
1바카라 양방 기기 사업부 기술부
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